光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV251G

English 中文

English 中文

所有产品

制造商(A-Z)>

应用方案

能源技术应用>

汽车电子应用>

新闻中心

关于科通

当前位置：首页 > 所有产品 > 光电器件 > PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) > AQV251G

AQV251G

品牌：Panasonic

描述：HE 1a 高容量(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	-
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL
负载电压	30 V
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA
输入/输出间端子容量(最大)	3pF
输出端子间容量(平均)	330 pF
端子形状	Through Hole
特点	-
全部允许损耗	550mW
LED压降(最大)	1.5V
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
订货产品号	AQV251G
耐电压	1500V AC
包装方式	Tube packing
动作LED电流(平均)	0.55mA
导通电阻(最大)	0.08 ohm
LED反向电压	5V
复位时间(平均)	0.08ms
导通电阻(平均)	0.035 ohm
开路状态漏电流(最大)	1μA
封装	DIP6
动作时间(平均)	1.1ms
复位LED电流(最小)	0.2mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	0.45mA
连续负载电流	3.5A
部允许损耗	75mW

所有产品

应用方案

能源技术应用

汽车电子应用

新闻中心

关于科通

深圳市科通技术股份有限公司客服电话：(+86)755-26018083 邮箱：cs@comtech.cn

© Copyright 2018 www.comtech.cn | 粤ICP备19161615号 | 粤公网安备 44030502003347号