光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV251GAZ

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AQV251GAZ

品牌：Panasonic

描述：HE 1a 高容量(6pin)

包装：tape and reel packing(Z)

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
耐电压	1500V AC
动作LED电流(平均)	0.55mA
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位时间(平均)	0.08ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	0.45mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
端子形状	Surface-Mount
封装	DIP6
全部允许损耗	550mW
LED压降(最大)	1.5V
复位LED电流(最小)	0.2mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	3pF
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
动作时间(平均)	1.1ms
最大正向电流	1A
负载电压	30 V
导通电阻(最大)	0.08 ohm
导通电阻(平均)	0.035 ohm
订货产品号	AQV251GAZ
输出端子间容量(平均)	330 pF
连续负载电流	3.5A
部允许损耗	75mW
保存温度	-40℃～+100℃
特点	-
输入/输出间端子容量(平均)	-
包装方式	tape and reel packing(Z)
国外标准	UL, C-UL
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA

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