光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQZ204

参数	数值
端子形状	Through Hole
动作时间(平均)	1.65ms
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位时间(平均)	0.08ms
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	2500V AC
国外标准	UL, C-UL
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	3.2 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
导通电阻(平均)	2.1 ohm
订货产品号	AQZ204
保存温度	-40℃～+100℃
最大正向电流	1A
负载电压	400 V
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	0.9mA
连续负载电流	0.5A
部允许损耗	75mW
特点	ＰｈｏｔｏＭＯＳ的高功能保持不变，可进行功率控制的输出接口用Photo MOS
封装	SIL4
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
全部允许损耗	1.6W
动作LED电流(平均)	1mA
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
输出端子间容量(平均)	600 pF